APTM100UM65DAG
MOSFET N-CH 1000V 145A SP6
Artikelnummer
APTM100UM65DAG
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Bulk
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-40°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Chassis Mount
Paket/fodral
SP6
Leverantörsenhetspaket
SP6
Effektförlust (max)
3250W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
1000V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
145A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
78 mOhm @ 72.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 20mA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
1068nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
28500pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±30V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 14195 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av APTM100UM65DAG
APTM100UM65DAG Elektroniska komponenter
APTM100UM65DAG Försäljning
APTM100UM65DAG Leverantör
APTM100UM65DAG Distributör
APTM100UM65DAG Datatabell
APTM100UM65DAG Foton
APTM100UM65DAG Pris
APTM100UM65DAG Erbjudande
APTM100UM65DAG Lägsta pris
APTM100UM65DAG Sök
APTM100UM65DAG Köp av
APTM100UM65DAG Chip