APTM100DAM90G
MOSFET N-CH 1000V 78A SP6
Artikelnummer
APTM100DAM90G
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Bulk
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-40°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Chassis Mount
Paket/fodral
SP6
Leverantörsenhetspaket
SP6
Effektförlust (max)
1250W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
1000V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
78A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
105 mOhm @ 39A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 10mA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
744nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
20700pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±30V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 33502 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av APTM100DAM90G
APTM100DAM90G Elektroniska komponenter
APTM100DAM90G Försäljning
APTM100DAM90G Leverantör
APTM100DAM90G Distributör
APTM100DAM90G Datatabell
APTM100DAM90G Foton
APTM100DAM90G Pris
APTM100DAM90G Erbjudande
APTM100DAM90G Lägsta pris
APTM100DAM90G Sök
APTM100DAM90G Köp av
APTM100DAM90G Chip