APTM100DA18TG
MOSFET N-CH 1000V 43A SP4
Artikelnummer
APTM100DA18TG
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Bulk
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-40°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Chassis Mount
Paket/fodral
SP4
Leverantörsenhetspaket
SP4
Effektförlust (max)
780W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
1000V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
43A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
210 mOhm @ 21.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 5mA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
372nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
10400pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±30V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 8307 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av APTM100DA18TG
APTM100DA18TG Elektroniska komponenter
APTM100DA18TG Försäljning
APTM100DA18TG Leverantör
APTM100DA18TG Distributör
APTM100DA18TG Datatabell
APTM100DA18TG Foton
APTM100DA18TG Pris
APTM100DA18TG Erbjudande
APTM100DA18TG Lägsta pris
APTM100DA18TG Sök
APTM100DA18TG Köp av
APTM100DA18TG Chip