APTC90DAM60T1G
MOSFET N-CH 900V 59A SP1
Artikelnummer
APTC90DAM60T1G
Tillverkare/varumärke
Serier
CoolMOS™
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tray
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-40°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Chassis Mount
Paket/fodral
SP1
Leverantörsenhetspaket
SP1
Effektförlust (max)
462W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
Super Junction
Dränera till spänningskälla (Vdss)
900V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
59A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
60 mOhm @ 52A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 6mA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
540nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
13600pF @ 100V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till chen_hx1688@hotmail.com, vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 48488 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av APTC90DAM60T1G
APTC90DAM60T1G Elektroniska komponenter
APTC90DAM60T1G Försäljning
APTC90DAM60T1G Leverantör
APTC90DAM60T1G Distributör
APTC90DAM60T1G Datatabell
APTC90DAM60T1G Foton
APTC90DAM60T1G Pris
APTC90DAM60T1G Erbjudande
APTC90DAM60T1G Lägsta pris
APTC90DAM60T1G Sök
APTC90DAM60T1G Köp av
APTC90DAM60T1G Chip