APTC80H29T1G
MOSFET 4N-CH 800V 15A SP1
Artikelnummer
APTC80H29T1G
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Bulk
Driftstemperatur
-40°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Chassis Mount
Paket/fodral
SP1
Effekt - Max
156W
Leverantörsenhetspaket
SP1
FET typ
4 N-Channel (H-Bridge)
FET-funktioner
Standard
Dränera till spänningskälla (Vdss)
800V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
15A
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
290 mOhm @ 7.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.9V @ 1mA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
90nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
2254pF @ 25V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 46323 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av APTC80H29T1G
APTC80H29T1G Elektroniska komponenter
APTC80H29T1G Försäljning
APTC80H29T1G Leverantör
APTC80H29T1G Distributör
APTC80H29T1G Datatabell
APTC80H29T1G Foton
APTC80H29T1G Pris
APTC80H29T1G Erbjudande
APTC80H29T1G Lägsta pris
APTC80H29T1G Sök
APTC80H29T1G Köp av
APTC80H29T1G Chip