APT9M100B
MOSFET N-CH 1000V 9A TO-247
Artikelnummer
APT9M100B
Tillverkare/varumärke
Serier
POWER MOS 8™
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-247-3
Leverantörsenhetspaket
TO-247 [B]
Effektförlust (max)
335W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
1000V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
9A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
1.4 Ohm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 1mA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
80nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
2605pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±30V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 35755 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av APT9M100B
APT9M100B Elektroniska komponenter
APT9M100B Försäljning
APT9M100B Leverantör
APT9M100B Distributör
APT9M100B Datatabell
APT9M100B Foton
APT9M100B Pris
APT9M100B Erbjudande
APT9M100B Lägsta pris
APT9M100B Sök
APT9M100B Köp av
APT9M100B Chip