APT80SM120S
POWER MOSFET - SIC
Artikelnummer
APT80SM120S
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Bulk
Teknologi
SiCFET (Silicon Carbide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Leverantörsenhetspaket
D3Pak
Effektförlust (max)
625W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
1200V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
80A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
55 mOhm @ 40A, 20V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 1mA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
235nC @ 20V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
-
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
20V
Vgs (max)
+25V, -10V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 12648 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av APT80SM120S
APT80SM120S Elektroniska komponenter
APT80SM120S Försäljning
APT80SM120S Leverantör
APT80SM120S Distributör
APT80SM120S Datatabell
APT80SM120S Foton
APT80SM120S Pris
APT80SM120S Erbjudande
APT80SM120S Lägsta pris
APT80SM120S Sök
APT80SM120S Köp av
APT80SM120S Chip