Bild kan vara representation.
Se specifikationer för produktinformation.
Se specifikationer för produktinformation.
APT80SM120J
POWER MOSFET - SIC
Artikelnummer
APT80SM120J
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Bulk
Teknologi
SiCFET (Silicon Carbide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Chassis Mount
Paket/fodral
SOT-227-4, miniBLOC
Leverantörsenhetspaket
SOT-227
Effektförlust (max)
273W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
1200V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
51A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
55 mOhm @ 40A, 20V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 1mA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
235nC @ 20V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
-
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
20V
Vgs (max)
+25V, -10V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 52651 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av APT80SM120J
APT80SM120J Elektroniska komponenter
APT80SM120J Försäljning
APT80SM120J Leverantör
APT80SM120J Distributör
APT80SM120J Datatabell
APT80SM120J Foton
APT80SM120J Pris
APT80SM120J Erbjudande
APT80SM120J Lägsta pris
APT80SM120J Sök
APT80SM120J Köp av
APT80SM120J Chip