APT80SM120B
POWER MOSFET - SIC
Artikelnummer
APT80SM120B
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Bulk
Teknologi
SiCFET (Silicon Carbide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-247-3
Leverantörsenhetspaket
TO-247
Effektförlust (max)
555W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
1200V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
80A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
55 mOhm @ 40A, 20V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 1mA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
235nC @ 20V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
-
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
20V
Vgs (max)
+25V, -10V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 43636 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av APT80SM120B
APT80SM120B Elektroniska komponenter
APT80SM120B Försäljning
APT80SM120B Leverantör
APT80SM120B Distributör
APT80SM120B Datatabell
APT80SM120B Foton
APT80SM120B Pris
APT80SM120B Erbjudande
APT80SM120B Lägsta pris
APT80SM120B Sök
APT80SM120B Köp av
APT80SM120B Chip