APT70SM70B
POWER MOSFET - SIC
Artikelnummer
APT70SM70B
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Bulk
Teknologi
SiCFET (Silicon Carbide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-247-3
Leverantörsenhetspaket
TO-247 [B]
Effektförlust (max)
300W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
700V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
65A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
70 mOhm @ 32.5A, 20V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 1mA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
125nC @ 20V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
-
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
20V
Vgs (max)
+25V, -10V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 36302 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av APT70SM70B
APT70SM70B Elektroniska komponenter
APT70SM70B Försäljning
APT70SM70B Leverantör
APT70SM70B Distributör
APT70SM70B Datatabell
APT70SM70B Foton
APT70SM70B Pris
APT70SM70B Erbjudande
APT70SM70B Lägsta pris
APT70SM70B Sök
APT70SM70B Köp av
APT70SM70B Chip