APT45GP120B2DQ2G
IGBT 1200V 113A 625W TMAX
Artikelnummer
APT45GP120B2DQ2G
Tillverkare/varumärke
Serier
POWER MOS 7®
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Ingångstyp
Standard
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-247-3 Variant
Effekt - Max
625W
Leverantörsenhetspaket
-
Omvänd återhämtningstid (trr)
-
Aktuell - Samlare (Ic) (Max)
113A
Spänning - Emitter Collector Breakdown (Max)
1200V
IGBT typ
PT
Vce(aktiv) (Max) @ Vge, Ic
3.9V @ 15V, 45A
Ström - Pulserande samlare (Icm)
170A
Energiövergång
900µJ (on), 905µJ (off)
Gateavgifter
185nC
BP (på/av) vid 25°C
18ns/100ns
Konditionstest
600V, 45A, 5 Ohm, 15V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 49801 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av APT45GP120B2DQ2G
APT45GP120B2DQ2G Elektroniska komponenter
APT45GP120B2DQ2G Försäljning
APT45GP120B2DQ2G Leverantör
APT45GP120B2DQ2G Distributör
APT45GP120B2DQ2G Datatabell
APT45GP120B2DQ2G Foton
APT45GP120B2DQ2G Pris
APT45GP120B2DQ2G Erbjudande
APT45GP120B2DQ2G Lägsta pris
APT45GP120B2DQ2G Sök
APT45GP120B2DQ2G Köp av
APT45GP120B2DQ2G Chip