APT32F120J
MOSFET N-CH 1200V 33A SOT-227
Artikelnummer
APT32F120J
Tillverkare/varumärke
Serier
POWER MOS 8™
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Chassis Mount
Paket/fodral
SOT-227-4, miniBLOC
Leverantörsenhetspaket
ISOTOP®
Effektförlust (max)
960W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
1200V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
33A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
320 mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 2.5mA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
560nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
18200pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±30V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 54690 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av APT32F120J
APT32F120J Elektroniska komponenter
APT32F120J Försäljning
APT32F120J Leverantör
APT32F120J Distributör
APT32F120J Datatabell
APT32F120J Foton
APT32F120J Pris
APT32F120J Erbjudande
APT32F120J Lägsta pris
APT32F120J Sök
APT32F120J Köp av
APT32F120J Chip