APT30M60J
MOSFET N-CH 600V 31A SOT-227
Artikelnummer
APT30M60J
Tillverkare/varumärke
Serier
POWER MOS 8™
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Chassis Mount
Paket/fodral
SOT-227-4, miniBLOC
Leverantörsenhetspaket
ISOTOP®
Effektförlust (max)
355W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
600V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
31A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
150 mOhm @ 21A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 2.5mA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
215nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
5890pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±30V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 6458 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av APT30M60J
APT30M60J Elektroniska komponenter
APT30M60J Försäljning
APT30M60J Leverantör
APT30M60J Distributör
APT30M60J Datatabell
APT30M60J Foton
APT30M60J Pris
APT30M60J Erbjudande
APT30M60J Lägsta pris
APT30M60J Sök
APT30M60J Köp av
APT30M60J Chip