Bild kan vara representation.
Se specifikationer för produktinformation.
Se specifikationer för produktinformation.
APT25SM120S
POWER MOSFET - SIC
Artikelnummer
APT25SM120S
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Bulk
Teknologi
SiCFET (Silicon Carbide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Chassis Mount
Paket/fodral
D-3 Module
Leverantörsenhetspaket
D3
Effektförlust (max)
175W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
1200V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
25A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
175 mOhm @ 10A, 20V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 1mA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
72nC @ 20V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
-
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
-
Vgs (max)
-
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 30556 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av APT25SM120S
APT25SM120S Elektroniska komponenter
APT25SM120S Försäljning
APT25SM120S Leverantör
APT25SM120S Distributör
APT25SM120S Datatabell
APT25SM120S Foton
APT25SM120S Pris
APT25SM120S Erbjudande
APT25SM120S Lägsta pris
APT25SM120S Sök
APT25SM120S Köp av
APT25SM120S Chip