SI3420-TP
MOSFET N-CHANNEL 20V 6A SOT23
Artikelnummer
SI3420-TP
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Leverantörsenhetspaket
SOT-23
Effektförlust (max)
350mW (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
20V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
6A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
24 mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
-
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
630pF @ 10V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
1.8V, 10V
Vgs (max)
±12V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 30487 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av SI3420-TP
SI3420-TP Elektroniska komponenter
SI3420-TP Försäljning
SI3420-TP Leverantör
SI3420-TP Distributör
SI3420-TP Datatabell
SI3420-TP Foton
SI3420-TP Pris
SI3420-TP Erbjudande
SI3420-TP Lägsta pris
SI3420-TP Sök
SI3420-TP Köp av
SI3420-TP Chip