SI3415-TP
MOSFET P-CH 20V 4A SOT-23
Artikelnummer
SI3415-TP
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Leverantörsenhetspaket
SOT-23
Effektförlust (max)
350mW (Ta)
FET typ
P-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
20V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
4A (Ta)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
50 mOhm @ 4A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
17.2nC @ 4.5V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1450pF @ 10V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
1.8V, 4.5V
Vgs (max)
±8V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 14491 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av SI3415-TP
SI3415-TP Elektroniska komponenter
SI3415-TP Försäljning
SI3415-TP Leverantör
SI3415-TP Distributör
SI3415-TP Datatabell
SI3415-TP Foton
SI3415-TP Pris
SI3415-TP Erbjudande
SI3415-TP Lägsta pris
SI3415-TP Sök
SI3415-TP Köp av
SI3415-TP Chip