IXTV200N10T
MOSFET N-CH 100V 200A PLUS220
Artikelnummer
IXTV200N10T
Tillverkare/varumärke
Serier
TrenchMV™
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-220-3, Short Tab
Leverantörsenhetspaket
PLUS220
Effektförlust (max)
550W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
100V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
200A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
5.5 mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
152nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
9400pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±30V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 34371 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IXTV200N10T
IXTV200N10T Elektroniska komponenter
IXTV200N10T Försäljning
IXTV200N10T Leverantör
IXTV200N10T Distributör
IXTV200N10T Datatabell
IXTV200N10T Foton
IXTV200N10T Pris
IXTV200N10T Erbjudande
IXTV200N10T Lägsta pris
IXTV200N10T Sök
IXTV200N10T Köp av
IXTV200N10T Chip