IXTC180N085T
MOSFET N-CH 85V 110A ISOPLUS220
Artikelnummer
IXTC180N085T
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
ISOPLUS220™
Leverantörsenhetspaket
ISOPLUS220™
Effektförlust (max)
150W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
85V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
110A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
6.1 mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
170nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
8800pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 48461 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IXTC180N085T
IXTC180N085T Elektroniska komponenter
IXTC180N085T Försäljning
IXTC180N085T Leverantör
IXTC180N085T Distributör
IXTC180N085T Datatabell
IXTC180N085T Foton
IXTC180N085T Pris
IXTC180N085T Erbjudande
IXTC180N085T Lägsta pris
IXTC180N085T Sök
IXTC180N085T Köp av
IXTC180N085T Chip