IXGT30N120B3D1
IGBT 1200V 300W TO268
Artikelnummer
IXGT30N120B3D1
Tillverkare/varumärke
Serier
GenX3™
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Ingångstyp
Standard
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Effekt - Max
300W
Leverantörsenhetspaket
TO-268
Omvänd återhämtningstid (trr)
100ns
Aktuell - Samlare (Ic) (Max)
-
Spänning - Emitter Collector Breakdown (Max)
1200V
IGBT typ
PT
Vce(aktiv) (Max) @ Vge, Ic
3.5V @ 15V, 30A
Ström - Pulserande samlare (Icm)
150A
Energiövergång
3.47mJ (on), 2.16mJ (off)
Gateavgifter
87nC
BP (på/av) vid 25°C
16ns/127ns
Konditionstest
960V, 30A, 5 Ohm, 15V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 37267 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IXGT30N120B3D1
IXGT30N120B3D1 Elektroniska komponenter
IXGT30N120B3D1 Försäljning
IXGT30N120B3D1 Leverantör
IXGT30N120B3D1 Distributör
IXGT30N120B3D1 Datatabell
IXGT30N120B3D1 Foton
IXGT30N120B3D1 Pris
IXGT30N120B3D1 Erbjudande
IXGT30N120B3D1 Lägsta pris
IXGT30N120B3D1 Sök
IXGT30N120B3D1 Köp av
IXGT30N120B3D1 Chip