IXFC60N20
MOSFET N-CH 200V 60A ISOPLUS220
Artikelnummer
IXFC60N20
Tillverkare/varumärke
Serier
HiPerFET™
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
ISOPLUS220™
Leverantörsenhetspaket
ISOPLUS220™
Effektförlust (max)
230W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
200V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
60A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
33 mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 4mA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
155nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
5200pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 20530 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IXFC60N20
IXFC60N20 Elektroniska komponenter
IXFC60N20 Försäljning
IXFC60N20 Leverantör
IXFC60N20 Distributör
IXFC60N20 Datatabell
IXFC60N20 Foton
IXFC60N20 Pris
IXFC60N20 Erbjudande
IXFC60N20 Lägsta pris
IXFC60N20 Sök
IXFC60N20 Köp av
IXFC60N20 Chip