IXFC30N60P
MOSFET N-CH 600V 15A ISOPLUS220
Artikelnummer
IXFC30N60P
Tillverkare/varumärke
Serier
HiPerFET™, PolarHT™
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
ISOPLUS220™
Leverantörsenhetspaket
ISOPLUS220™
Effektförlust (max)
166W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
600V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
15A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
250 mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 4mA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
85nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
3820pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±30V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 50216 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IXFC30N60P
IXFC30N60P Elektroniska komponenter
IXFC30N60P Försäljning
IXFC30N60P Leverantör
IXFC30N60P Distributör
IXFC30N60P Datatabell
IXFC30N60P Foton
IXFC30N60P Pris
IXFC30N60P Erbjudande
IXFC30N60P Lägsta pris
IXFC30N60P Sök
IXFC30N60P Köp av
IXFC30N60P Chip