IXFC26N50
MOSFET N-CH 500V 23A ISOPLUS220
Artikelnummer
IXFC26N50
Tillverkare/varumärke
Serier
HiPerFET™
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
ISOPLUS220™
Leverantörsenhetspaket
ISOPLUS220™
Effektförlust (max)
230W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
500V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
23A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
200 mOhm @ 13A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 4mA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
135nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
4200pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 25379 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IXFC26N50
IXFC26N50 Elektroniska komponenter
IXFC26N50 Försäljning
IXFC26N50 Leverantör
IXFC26N50 Distributör
IXFC26N50 Datatabell
IXFC26N50 Foton
IXFC26N50 Pris
IXFC26N50 Erbjudande
IXFC26N50 Lägsta pris
IXFC26N50 Sök
IXFC26N50 Köp av
IXFC26N50 Chip