IXBT6N170
IGBT 1700V 12A 75W TO268
Artikelnummer
IXBT6N170
Tillverkare/varumärke
Serier
BIMOSFET™
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Ingångstyp
Standard
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Effekt - Max
75W
Leverantörsenhetspaket
TO-268
Omvänd återhämtningstid (trr)
1.08µs
Aktuell - Samlare (Ic) (Max)
12A
Spänning - Emitter Collector Breakdown (Max)
1700V
IGBT typ
-
Vce(aktiv) (Max) @ Vge, Ic
3.4V @ 15V, 6A
Ström - Pulserande samlare (Icm)
36A
Energiövergång
-
Gateavgifter
17nC
BP (på/av) vid 25°C
-
Konditionstest
-
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 21318 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IXBT6N170
IXBT6N170 Elektroniska komponenter
IXBT6N170 Försäljning
IXBT6N170 Leverantör
IXBT6N170 Distributör
IXBT6N170 Datatabell
IXBT6N170 Foton
IXBT6N170 Pris
IXBT6N170 Erbjudande
IXBT6N170 Lägsta pris
IXBT6N170 Sök
IXBT6N170 Köp av
IXBT6N170 Chip