SPP80N06S2L-09
MOSFET N-CH 55V 80A TO-220
Artikelnummer
SPP80N06S2L-09
Tillverkare/varumärke
Serier
OptiMOS™
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-220-3
Leverantörsenhetspaket
PG-TO220-3-1
Effektförlust (max)
190W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
55V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
80A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
8.5 mOhm @ 52A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 125µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
105nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
3480pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 18705 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av SPP80N06S2L-09
SPP80N06S2L-09 Elektroniska komponenter
SPP80N06S2L-09 Försäljning
SPP80N06S2L-09 Leverantör
SPP80N06S2L-09 Distributör
SPP80N06S2L-09 Datatabell
SPP80N06S2L-09 Foton
SPP80N06S2L-09 Pris
SPP80N06S2L-09 Erbjudande
SPP80N06S2L-09 Lägsta pris
SPP80N06S2L-09 Sök
SPP80N06S2L-09 Köp av
SPP80N06S2L-09 Chip