SPP80N04S2-H4
MOSFET N-CH 40V 80A TO-220
Artikelnummer
SPP80N04S2-H4
Tillverkare/varumärke
Serier
OptiMOS™
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-220-3
Leverantörsenhetspaket
PG-TO220-3-1
Effektförlust (max)
300W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
40V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
80A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
4 mOhm @ 80A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
148nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
5890pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till chen_hx1688@hotmail.com, vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 13155 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av SPP80N04S2-H4
SPP80N04S2-H4 Elektroniska komponenter
SPP80N04S2-H4 Försäljning
SPP80N04S2-H4 Leverantör
SPP80N04S2-H4 Distributör
SPP80N04S2-H4 Datatabell
SPP80N04S2-H4 Foton
SPP80N04S2-H4 Pris
SPP80N04S2-H4 Erbjudande
SPP80N04S2-H4 Lägsta pris
SPP80N04S2-H4 Sök
SPP80N04S2-H4 Köp av
SPP80N04S2-H4 Chip