SPP10N10L
MOSFET N-CH 100V 10.3A TO-220
Artikelnummer
SPP10N10L
Tillverkare/varumärke
Serier
SIPMOS®
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-220-3
Leverantörsenhetspaket
PG-TO220-3-1
Effektförlust (max)
50W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
100V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
10.3A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
154 mOhm @ 8.1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 21µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
22nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
444pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 14257 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av SPP10N10L
SPP10N10L Elektroniska komponenter
SPP10N10L Försäljning
SPP10N10L Leverantör
SPP10N10L Distributör
SPP10N10L Datatabell
SPP10N10L Foton
SPP10N10L Pris
SPP10N10L Erbjudande
SPP10N10L Lägsta pris
SPP10N10L Sök
SPP10N10L Köp av
SPP10N10L Chip