SPP10N10
MOSFET N-CH 100V 10.3A TO-220
Artikelnummer
SPP10N10
Tillverkare/varumärke
Serier
SIPMOS®
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-220-3
Leverantörsenhetspaket
PG-TO220-3-1
Effektförlust (max)
50W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
100V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
10.3A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
170 mOhm @ 7.8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 21µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
19.4nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
426pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till chen_hx1688@hotmail.com, vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 20998 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av SPP10N10
SPP10N10 Elektroniska komponenter
SPP10N10 Försäljning
SPP10N10 Leverantör
SPP10N10 Distributör
SPP10N10 Datatabell
SPP10N10 Foton
SPP10N10 Pris
SPP10N10 Erbjudande
SPP10N10 Lägsta pris
SPP10N10 Sök
SPP10N10 Köp av
SPP10N10 Chip