SPP07N65C3HKSA1
MOSFET N-CH 650V 7.3A TO-220
Artikelnummer
SPP07N65C3HKSA1
Tillverkare/varumärke
Serier
CoolMOS™
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-220-3
Leverantörsenhetspaket
PG-TO220-3-1
Effektförlust (max)
83W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
650V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
7.3A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
600 mOhm @ 4.6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.9V @ 350µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
27nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
790pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 16063 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av SPP07N65C3HKSA1
SPP07N65C3HKSA1 Elektroniska komponenter
SPP07N65C3HKSA1 Försäljning
SPP07N65C3HKSA1 Leverantör
SPP07N65C3HKSA1 Distributör
SPP07N65C3HKSA1 Datatabell
SPP07N65C3HKSA1 Foton
SPP07N65C3HKSA1 Pris
SPP07N65C3HKSA1 Erbjudande
SPP07N65C3HKSA1 Lägsta pris
SPP07N65C3HKSA1 Sök
SPP07N65C3HKSA1 Köp av
SPP07N65C3HKSA1 Chip