SPB80P06P
MOSFET P-CH 60V 80A D2PAK
Artikelnummer
SPB80P06P
Tillverkare/varumärke
Serier
SIPMOS®
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Leverantörsenhetspaket
PG-TO263-3-2
Effektförlust (max)
340W (Tc)
FET typ
P-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
60V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
80A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
23 mOhm @ 64A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 5.5mA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
173nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
5033pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 30020 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av SPB80P06P
SPB80P06P Elektroniska komponenter
SPB80P06P Försäljning
SPB80P06P Leverantör
SPB80P06P Distributör
SPB80P06P Datatabell
SPB80P06P Foton
SPB80P06P Pris
SPB80P06P Erbjudande
SPB80P06P Lägsta pris
SPB80P06P Sök
SPB80P06P Köp av
SPB80P06P Chip