SPB80N06S2L-09
MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK
Artikelnummer
SPB80N06S2L-09
Tillverkare/varumärke
Serier
OptiMOS™
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Leverantörsenhetspaket
PG-TO263-3-2
Effektförlust (max)
190W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
55V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
80A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
8.5 mOhm @ 52A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 125µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
105nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
3480pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 21032 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av SPB80N06S2L-09
SPB80N06S2L-09 Elektroniska komponenter
SPB80N06S2L-09 Försäljning
SPB80N06S2L-09 Leverantör
SPB80N06S2L-09 Distributör
SPB80N06S2L-09 Datatabell
SPB80N06S2L-09 Foton
SPB80N06S2L-09 Pris
SPB80N06S2L-09 Erbjudande
SPB80N06S2L-09 Lägsta pris
SPB80N06S2L-09 Sök
SPB80N06S2L-09 Köp av
SPB80N06S2L-09 Chip