SPB80N06S08ATMA1
MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK
Artikelnummer
SPB80N06S08ATMA1
Tillverkare/varumärke
Serier
SIPMOS®
Sektionsstatus
Discontinued at Digi-Key
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Leverantörsenhetspaket
PG-TO263-3-2
Effektförlust (max)
300W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
55V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
80A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
7.7 mOhm @ 80A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 240µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
187nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
3660pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 49296 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av SPB80N06S08ATMA1
SPB80N06S08ATMA1 Elektroniska komponenter
SPB80N06S08ATMA1 Försäljning
SPB80N06S08ATMA1 Leverantör
SPB80N06S08ATMA1 Distributör
SPB80N06S08ATMA1 Datatabell
SPB80N06S08ATMA1 Foton
SPB80N06S08ATMA1 Pris
SPB80N06S08ATMA1 Erbjudande
SPB80N06S08ATMA1 Lägsta pris
SPB80N06S08ATMA1 Sök
SPB80N06S08ATMA1 Köp av
SPB80N06S08ATMA1 Chip