köpa Infineon Technologies SPB18P06P MOSFET P-CH 60V 18.7A D2PAK

Bild kan vara representation.
Se specifikationer för produktinformation.

Visa mer info Datablad

SPB18P06P

MOSFET P-CH 60V 18.7A D2PAK

Artikelnummer

SPB18P06P

Tillverkare/varumärke

Infineon Technologies

Serier

SIPMOS®

Sektionsstatus

Obsolete

Förpackning

Tape & Reel (TR)

Teknologi

MOSFET (Metal Oxide)

Driftstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Monteringstyp

Surface Mount

Paket/fodral

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Leverantörsenhetspaket

D²PAK (TO-263AB)

Effektförlust (max)

81.1W (Ta)

FET typ

P-Channel

FET-funktioner

Dränera till spänningskälla (Vdss)

60V

Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C

18.7A (Ta)

Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs

130 mOhm @ 13.2A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 1mA

Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs

28nC @ 10V

Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds

860pF @ 25V

Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)

10V

Vgs (max)

±20V

Begäran om begäran

Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.

I lager 34752 PCS

Kontaktinformation

Relaterade produkter