köpa Infineon Technologies SPB10N10 MOSFET N-CH 100V 10.3A D2PAK

Bild kan vara representation.
Se specifikationer för produktinformation.

Visa mer info Datablad

SPB10N10

MOSFET N-CH 100V 10.3A D2PAK

Artikelnummer

SPB10N10

Tillverkare/varumärke

Infineon Technologies

Serier

SIPMOS®

Sektionsstatus

Obsolete

Förpackning

Tape & Reel (TR)

Teknologi

MOSFET (Metal Oxide)

Driftstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Monteringstyp

Surface Mount

Paket/fodral

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Leverantörsenhetspaket

PG-TO263-3-2

Effektförlust (max)

50W (Tc)

FET typ

N-Channel

FET-funktioner

Dränera till spänningskälla (Vdss)

100V

Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C

10.3A (Tc)

Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs

170 mOhm @ 7.8A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 21µA

Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs

19.4nC @ 10V

Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds

426pF @ 25V

Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)

10V

Vgs (max)

±20V

Begäran om begäran

Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.

I lager 12046 PCS

Kontaktinformation

Relaterade produkter