SPB08P06P
MOSFET P-CH 60V 8.8A D2PAK
Artikelnummer
SPB08P06P
Tillverkare/varumärke
Serier
SIPMOS®
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Leverantörsenhetspaket
PG-TO263-3-2
Effektförlust (max)
42W (Tc)
FET typ
P-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
60V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
8.8A (Ta)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
300 mOhm @ 6.2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
13nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
420pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 41609 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av SPB08P06P
SPB08P06P Elektroniska komponenter
SPB08P06P Försäljning
SPB08P06P Leverantör
SPB08P06P Distributör
SPB08P06P Datatabell
SPB08P06P Foton
SPB08P06P Pris
SPB08P06P Erbjudande
SPB08P06P Lägsta pris
SPB08P06P Sök
SPB08P06P Köp av
SPB08P06P Chip