SI4435DYPBF
MOSFET P-CH 30V 8A 8-SOIC
Artikelnummer
SI4435DYPBF
Tillverkare/varumärke
Serier
HEXFET®
Sektionsstatus
Discontinued at Digi-Key
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Leverantörsenhetspaket
8-SO
Effektförlust (max)
2.5W (Ta)
FET typ
P-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
30V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
8A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
20 mOhm @ 8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
60nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
2320pF @ 15V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 14975 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av SI4435DYPBF
SI4435DYPBF Elektroniska komponenter
SI4435DYPBF Försäljning
SI4435DYPBF Leverantör
SI4435DYPBF Distributör
SI4435DYPBF Datatabell
SI4435DYPBF Foton
SI4435DYPBF Pris
SI4435DYPBF Erbjudande
SI4435DYPBF Lägsta pris
SI4435DYPBF Sök
SI4435DYPBF Köp av
SI4435DYPBF Chip