IRLS3036PBF
MOSFET N-CH 60V 195A D2-PAK
Artikelnummer
IRLS3036PBF
Tillverkare/varumärke
Serier
HEXFET®
Sektionsstatus
Discontinued at Digi-Key
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Leverantörsenhetspaket
D2PAK
Effektförlust (max)
380W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
60V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
195A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
2.4 mOhm @ 165A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
140nC @ 4.5V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
11210pF @ 50V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
Vgs (max)
±16V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 45984 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IRLS3036PBF
IRLS3036PBF Elektroniska komponenter
IRLS3036PBF Försäljning
IRLS3036PBF Leverantör
IRLS3036PBF Distributör
IRLS3036PBF Datatabell
IRLS3036PBF Foton
IRLS3036PBF Pris
IRLS3036PBF Erbjudande
IRLS3036PBF Lägsta pris
IRLS3036PBF Sök
IRLS3036PBF Köp av
IRLS3036PBF Chip