IRLL024NTRPBF
MOSFET N-CH 55V 3.1A SOT223
Artikelnummer
IRLL024NTRPBF
Tillverkare/varumärke
Serier
HEXFET®
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Cut Tape (CT)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-261-4, TO-261AA
Leverantörsenhetspaket
SOT-223
Effektförlust (max)
1W (Ta)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
55V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
3.1A (Ta)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
65 mOhm @ 3.1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
15.6nC @ 5V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
510pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
4V, 10V
Vgs (max)
±16V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 35420 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IRLL024NTRPBF
IRLL024NTRPBF Elektroniska komponenter
IRLL024NTRPBF Försäljning
IRLL024NTRPBF Leverantör
IRLL024NTRPBF Distributör
IRLL024NTRPBF Datatabell
IRLL024NTRPBF Foton
IRLL024NTRPBF Pris
IRLL024NTRPBF Erbjudande
IRLL024NTRPBF Lägsta pris
IRLL024NTRPBF Sök
IRLL024NTRPBF Köp av
IRLL024NTRPBF Chip