IRLL024NPBF
MOSFET N-CH 55V 3.1A SOT223
Artikelnummer
IRLL024NPBF
Tillverkare/varumärke
Serier
HEXFET®
Sektionsstatus
Not For New Designs
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-261-4, TO-261AA
Leverantörsenhetspaket
SOT-223
Effektförlust (max)
1W (Ta)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
55V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
3.1A (Ta)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
65 mOhm @ 3.1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
15.6nC @ 5V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
510pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
4V, 10V
Vgs (max)
±16V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 41534 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IRLL024NPBF
IRLL024NPBF Elektroniska komponenter
IRLL024NPBF Försäljning
IRLL024NPBF Leverantör
IRLL024NPBF Distributör
IRLL024NPBF Datatabell
IRLL024NPBF Foton
IRLL024NPBF Pris
IRLL024NPBF Erbjudande
IRLL024NPBF Lägsta pris
IRLL024NPBF Sök
IRLL024NPBF Köp av
IRLL024NPBF Chip