IRG7CH50K10EF
IGBT CHIP WAFER
Artikelnummer
IRG7CH50K10EF
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Active
Förpackning
-
Ingångstyp
Standard
Driftstemperatur
-40°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
Die
Effekt - Max
-
Leverantörsenhetspaket
Die
Omvänd återhämtningstid (trr)
-
Aktuell - Samlare (Ic) (Max)
35A
Spänning - Emitter Collector Breakdown (Max)
1200V
IGBT typ
Trench Field Stop
Vce(aktiv) (Max) @ Vge, Ic
2.2V @ 15V, 25A
Ström - Pulserande samlare (Icm)
-
Energiövergång
-
Gateavgifter
170nC
BP (på/av) vid 25°C
50ns/280ns
Konditionstest
600V, 35A, 10 Ohm, 15V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 14800 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IRG7CH50K10EF
IRG7CH50K10EF Elektroniska komponenter
IRG7CH50K10EF Försäljning
IRG7CH50K10EF Leverantör
IRG7CH50K10EF Distributör
IRG7CH50K10EF Datatabell
IRG7CH50K10EF Foton
IRG7CH50K10EF Pris
IRG7CH50K10EF Erbjudande
IRG7CH50K10EF Lägsta pris
IRG7CH50K10EF Sök
IRG7CH50K10EF Köp av
IRG7CH50K10EF Chip