IRFU5410PBF
MOSFET P-CH 100V 13A I-PAK
Artikelnummer
IRFU5410PBF
Tillverkare/varumärke
Serier
HEXFET®
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Leverantörsenhetspaket
IPAK (TO-251)
Effektförlust (max)
66W (Tc)
FET typ
P-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
100V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
13A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
205 mOhm @ 7.8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
58nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
760pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 18689 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IRFU5410PBF
IRFU5410PBF Elektroniska komponenter
IRFU5410PBF Försäljning
IRFU5410PBF Leverantör
IRFU5410PBF Distributör
IRFU5410PBF Datatabell
IRFU5410PBF Foton
IRFU5410PBF Pris
IRFU5410PBF Erbjudande
IRFU5410PBF Lägsta pris
IRFU5410PBF Sök
IRFU5410PBF Köp av
IRFU5410PBF Chip