IRFU1018EPBF
MOSFET N-CH 60V 56A I-PAK
Artikelnummer
IRFU1018EPBF
Tillverkare/varumärke
Serier
HEXFET®
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Leverantörsenhetspaket
IPAK (TO-251)
Effektförlust (max)
110W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
60V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
56A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
8.4 mOhm @ 47A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 100µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
69nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
2290pF @ 50V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 48462 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IRFU1018EPBF
IRFU1018EPBF Elektroniska komponenter
IRFU1018EPBF Försäljning
IRFU1018EPBF Leverantör
IRFU1018EPBF Distributör
IRFU1018EPBF Datatabell
IRFU1018EPBF Foton
IRFU1018EPBF Pris
IRFU1018EPBF Erbjudande
IRFU1018EPBF Lägsta pris
IRFU1018EPBF Sök
IRFU1018EPBF Köp av
IRFU1018EPBF Chip