IRFR4510PBF
MOSFET N CH 100V 56A DPAK
Artikelnummer
IRFR4510PBF
Tillverkare/varumärke
Serier
HEXFET®
Sektionsstatus
Discontinued at Digi-Key
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Leverantörsenhetspaket
D-Pak
Effektförlust (max)
143W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
100V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
56A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
13.9 mOhm @ 38A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 100µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
81nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
3031pF @ 50V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 19589 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IRFR4510PBF
IRFR4510PBF Elektroniska komponenter
IRFR4510PBF Försäljning
IRFR4510PBF Leverantör
IRFR4510PBF Distributör
IRFR4510PBF Datatabell
IRFR4510PBF Foton
IRFR4510PBF Pris
IRFR4510PBF Erbjudande
IRFR4510PBF Lägsta pris
IRFR4510PBF Sök
IRFR4510PBF Köp av
IRFR4510PBF Chip