IRFR3711TRRPBF
MOSFET N-CH 20V 100A DPAK
Artikelnummer
IRFR3711TRRPBF
Tillverkare/varumärke
Serier
HEXFET®
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Leverantörsenhetspaket
D-Pak
Effektförlust (max)
2.5W (Ta), 120W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
20V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
100A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
6.5 mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
44nC @ 4.5V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
2980pF @ 10V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 45891 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IRFR3711TRRPBF
IRFR3711TRRPBF Elektroniska komponenter
IRFR3711TRRPBF Försäljning
IRFR3711TRRPBF Leverantör
IRFR3711TRRPBF Distributör
IRFR3711TRRPBF Datatabell
IRFR3711TRRPBF Foton
IRFR3711TRRPBF Pris
IRFR3711TRRPBF Erbjudande
IRFR3711TRRPBF Lägsta pris
IRFR3711TRRPBF Sök
IRFR3711TRRPBF Köp av
IRFR3711TRRPBF Chip