IRFR3410TRRPBF
MOSFET N-CH 100V 31A DPAK
Artikelnummer
IRFR3410TRRPBF
Tillverkare/varumärke
Serier
HEXFET®
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Leverantörsenhetspaket
D-Pak
Effektförlust (max)
3W (Ta), 110W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
100V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
31A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
39 mOhm @ 18A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
56nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1690pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 48625 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IRFR3410TRRPBF
IRFR3410TRRPBF Elektroniska komponenter
IRFR3410TRRPBF Försäljning
IRFR3410TRRPBF Leverantör
IRFR3410TRRPBF Distributör
IRFR3410TRRPBF Datatabell
IRFR3410TRRPBF Foton
IRFR3410TRRPBF Pris
IRFR3410TRRPBF Erbjudande
IRFR3410TRRPBF Lägsta pris
IRFR3410TRRPBF Sök
IRFR3410TRRPBF Köp av
IRFR3410TRRPBF Chip