IRFR120Z
MOSFET N-CH 100V 8.7A DPAK
Artikelnummer
IRFR120Z
Tillverkare/varumärke
Serier
HEXFET®
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Leverantörsenhetspaket
D-Pak
Effektförlust (max)
35W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
100V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
8.7A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
190 mOhm @ 5.2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
10nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
310pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 15341 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IRFR120Z
IRFR120Z Elektroniska komponenter
IRFR120Z Försäljning
IRFR120Z Leverantör
IRFR120Z Distributör
IRFR120Z Datatabell
IRFR120Z Foton
IRFR120Z Pris
IRFR120Z Erbjudande
IRFR120Z Lägsta pris
IRFR120Z Sök
IRFR120Z Köp av
IRFR120Z Chip