IRFR1018EPBF
MOSFET N-CH 60V 79A DPAK
Artikelnummer
IRFR1018EPBF
Tillverkare/varumärke
Serier
HEXFET®
Sektionsstatus
Not For New Designs
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Leverantörsenhetspaket
D-Pak
Effektförlust (max)
110W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
60V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
56A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
8.4 mOhm @ 47A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 100µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
69nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
2290pF @ 50V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 46238 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IRFR1018EPBF
IRFR1018EPBF Elektroniska komponenter
IRFR1018EPBF Försäljning
IRFR1018EPBF Leverantör
IRFR1018EPBF Distributör
IRFR1018EPBF Datatabell
IRFR1018EPBF Foton
IRFR1018EPBF Pris
IRFR1018EPBF Erbjudande
IRFR1018EPBF Lägsta pris
IRFR1018EPBF Sök
IRFR1018EPBF Köp av
IRFR1018EPBF Chip