IRFI4229PBF
MOSFET N-CH 250V 19A TO-220FP
Artikelnummer
IRFI4229PBF
Tillverkare/varumärke
Serier
HEXFET®
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-40°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-220-3
Leverantörsenhetspaket
TO-220AB
Effektförlust (max)
46W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
250V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
19A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
46 mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
110nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
4480pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±30V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 51083 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IRFI4229PBF
IRFI4229PBF Elektroniska komponenter
IRFI4229PBF Försäljning
IRFI4229PBF Leverantör
IRFI4229PBF Distributör
IRFI4229PBF Datatabell
IRFI4229PBF Foton
IRFI4229PBF Pris
IRFI4229PBF Erbjudande
IRFI4229PBF Lägsta pris
IRFI4229PBF Sök
IRFI4229PBF Köp av
IRFI4229PBF Chip