IRFB61N15DPBF
MOSFET N-CH 150V 60A TO-220AB
Artikelnummer
IRFB61N15DPBF
Tillverkare/varumärke
Serier
HEXFET®
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-220-3
Leverantörsenhetspaket
TO-220AB
Effektförlust (max)
2.4W (Ta), 330W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
150V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
60A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
32 mOhm @ 36A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.5V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
140nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
3470pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±30V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 24546 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IRFB61N15DPBF
IRFB61N15DPBF Elektroniska komponenter
IRFB61N15DPBF Försäljning
IRFB61N15DPBF Leverantör
IRFB61N15DPBF Distributör
IRFB61N15DPBF Datatabell
IRFB61N15DPBF Foton
IRFB61N15DPBF Pris
IRFB61N15DPBF Erbjudande
IRFB61N15DPBF Lägsta pris
IRFB61N15DPBF Sök
IRFB61N15DPBF Köp av
IRFB61N15DPBF Chip