IRFB4510GPBF
MOSFET N CH 100V 62A TO-220AB
Artikelnummer
IRFB4510GPBF
Tillverkare/varumärke
Serier
HEXFET®
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-220-3
Leverantörsenhetspaket
TO-220AB
Effektförlust (max)
140W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
100V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
62A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
13.5 mOhm @ 37A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 100µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
87nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
3180pF @ 50V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 7854 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IRFB4510GPBF
IRFB4510GPBF Elektroniska komponenter
IRFB4510GPBF Försäljning
IRFB4510GPBF Leverantör
IRFB4510GPBF Distributör
IRFB4510GPBF Datatabell
IRFB4510GPBF Foton
IRFB4510GPBF Pris
IRFB4510GPBF Erbjudande
IRFB4510GPBF Lägsta pris
IRFB4510GPBF Sök
IRFB4510GPBF Köp av
IRFB4510GPBF Chip