IRFB4410PBF
MOSFET N-CH 100V 96A TO-220AB
Artikelnummer
IRFB4410PBF
Tillverkare/varumärke
Serier
HEXFET®
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-220-3
Leverantörsenhetspaket
TO-220AB
Effektförlust (max)
200W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
100V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
88A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
10 mOhm @ 58A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 150µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
180nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
5150pF @ 50V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 45056 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IRFB4410PBF
IRFB4410PBF Elektroniska komponenter
IRFB4410PBF Försäljning
IRFB4410PBF Leverantör
IRFB4410PBF Distributör
IRFB4410PBF Datatabell
IRFB4410PBF Foton
IRFB4410PBF Pris
IRFB4410PBF Erbjudande
IRFB4410PBF Lägsta pris
IRFB4410PBF Sök
IRFB4410PBF Köp av
IRFB4410PBF Chip